第1480章 好大一条鱼!-《1976步步生莲》

  曲卓所知的RISC,本身就是基于开放标准的ISA规范。

  允许任何组织和个人自由使用、修改或扩展指令集,无需支付授权费用。

  这非常有利于架构和标准的推广和发展。

  而真正赚钱的,是基于RISC架构发展出的SPARC、 MIPS和ARM之类的闭源授权和商业授权。

  就像我们比较熟知的ARM,所有用它的企业都需要支付授权费和芯片版税。单靠这两项收入,只搞升级迭代就能赚的盆满钵满。

  所以,曲卓压根就没打算靠RISC这片“地基”上赚钱。

  但对于英国佬来说,研发的主要投入由BT公司承担,自己只需要少量的投入,就可以共享成果。

  怎么看,都是一门风险低,收益高的好生意。

  关键是,主力资金虽然是BT出的,项目扛鼎人是戴英的骄傲莫里斯教授,具体研发也是在戴英完成的。

  鉴于这两点,完全可以忽略一些不重要的小细节,底气十足的向全世界宣布,这是属于戴英的成果!

  人心不足蛇吞象,是具有普遍性的。

  更何况是依靠抢劫全世界发家的英国佬。

  他们当然想要更多!

  所以,曲卓说“可以共享RISC架构、指令集”,后面又跟了一句“也许还包括通用端口、内存,还其它的附属技术。看具体情况”

  重点是“看具体情况”。

  说白了就是:看你们的支持力度有多大了!

  而“支持力度”,是相对老说的。

  同样是五十万,落在一个总投资一百万的项目里,绝对是大股东。

  但扔在一个总投资一千万的项目里……就呵呵了。

  所以,曲卓要在合理的基础上,最大程度的拉高总投资,甚至还硬塞了个太阳能和储能项目。

  伦敦这破地方,一年里加一起有俩月的好天儿就不错啦。余下的时间要么阴天要么下雨。

  搞太阳能?

  跟扯淡有什么区别。

  但结合能源危机的大背景,以科研和测试的名义搞,谁也不能说不合理。

  即便一年三百六十五天里,连小阴天带晴天一共才占了不到三分之一,也是有实践价值的。

  起码对高耗能的科研机构来说,确实是一种可行的,临时能源备用方案……

  把小支出抛开,只算大头儿的,整个项目理论上要投入多少钱呢?

  抛开曲卓“买”一片,才四毛多点的不为人知不谈。

  实验室条件制备工程芯片,一片三寸晶圆能切出十二片,良品率百分之七十。再加上设计、制版和流片,单片成本轻轻松松拉到一万七千美元以上。

  搭建起一个算力单元,理论上只32片处理器就要五十五万美金。

  再加上主板、内存、电源和其它附属IC单元呢?

  造价轻轻松松超过百万美元。

  八个算力单元组成算力集群,还要加入微波和光纤及氟利昂水冷系统,单物料投入就破千万美元了。

  再算太阳能电池……

  眼下这年头单晶硅生长依赖柴可拉斯基法(CZ法),能耗超级高不提,成品率连百分之四十都没有。

  一片一米乘一米的太阳能板,造价超过两万六千美元。市场价在两万八到三万美元左右。

  曲卓自己搞的多晶硅太阳能板,“买”出一片一米乘一米的只要495,连五百都不到。

  只要地方够大,先甩个五百一千片出来,轻轻松松把理论投入再拉高个一两千万美金。

  再加上实验室常备设备呢?

  一台基础款的3A透射电镜打底五十万美元。

  半导体参数分析仪、网络分析仪、探针台、质谱仪、X射线衍射仪……再加上打造实验室环境……

  就算英国佬往死里丧良心,至少要承认BE的硬件投入不下三千万美元。

  按照第三季度的平均汇率算,相当于一千四百一十五万英镑。

  如果在伦敦市中心买房,以六万英镑每套算,可以买两百四十套。

  最新的劳斯莱斯银影II顶配版,连车带税含保险,落地一万两千英镑。

  可以买一千一百八十辆……

  就这么个投资规模,英国佬自己估摸吧,投入多少才有底气开口共享这共享那的……

  很明显,这是一个有着难以抵御的巨大诱惑力,又让人极难做出决策的饵。

  所以,八月27号上午开完讨论会,整整过了九天都没有任何动静。

  直到九月四日,碳化硅项目完成了扩散掺杂和电极蒸镀,准备开始封装初试。

  氮化镓也完成了光刻图形化,准备开始干法刻蚀时,戴安娜的二姐夫费洛斯勋爵在实验室外等了三个多小时,总算见到了曲卓。

  干嘛?

  据说!伊丽莎白老太太在与女儿安妮公主闲聊时,听说了来自东方的曲,在剑桥游学期间,为科学技术的发展做出了卓越贡献,继而生出了浓厚的兴趣。

  仔细了解过曲的种种事迹,为表彰其无私豁达的品质与无与伦比的敬业精神,邀请他周六去白金汉宫做客,并共进晚餐。

  曲卓知道窝子既然已经打好,就一定能钓到大鱼。

  但没想到,咬钩的居然是……好大一条鱼!

  非常淡定的接受了邀请,随即回到实验室继续忙碌。

  九月五日下午,碳化硅芯片陶瓷管壳打金线绑定完成……

  九月六日中午,使用Cl?/BCl?混合气体(比例3:1),RF功率150W,腔压50orr,刻蚀深度300n…干法刻蚀氮化镓成功。

  九月七日上午,硅脂散热封装,引出高压测试线……至此,世界上第一组共五枚碳化硅材质肖特基二极管诞生。

  没有庆祝……

  团队每个人都知道时间紧迫,东方曲九月十五日就要返回东大,必须争分夺秒!

  对肖恩二极管开始基础测试的同时,同样碳化硅材质,采用联合扩散法制作的PN逆变器,开始蒸镀电极。

  另一组,正在给第一组最后一枚氮化镓微波检波二极管开始做玻璃气密封装……

  七号下午,碳化硅芯片部分基础测定完成。

  搭建双脉冲测试电路,测量导通电阻Rds(on),导通大于100·c;

  用100MHz示波器捕捉开关波形,开关速度>100ns;

  对栅极施加 15V偏压1小时,阈值电压Vth漂移<0.5V;

  -55°C(干冰)至 125°C(油浴)循环10次,电阻漂移正常;

  150°C下施加1000V监测漏电流五小时正常,继续监测中……